Samsung, par exemple, ajustera sa production en réduisant celle de DRAM et de NAND flashs classiques en réponse à une demande en déclin. De son côté, SK Hynix a annoncé que la part de ses puces DRAM DDR4 dans sa production totale serait réduite à 20 % d’ici la fin de l’année, contre 30 % fin septembre et 40 % fin juin.

Cette réorientation intervient dans un contexte où des entreprises technologiques majeures comme Google et Baidu continuent d’investir massivement dans les serveurs, soutenant ainsi une demande stable pour la DRAM des serveurs, tandis que la demande pour les DRAM destinées aux PC stagne. En effet, bien que le marché mondial des semi-conducteurs se redresse grâce à la forte demande de puces pour l’IA et les serveurs, la reprise des puces classiques pour smartphones et PC reste plus lente. Les prix de la DRAM pour PC, qui étaient initialement attendus en hausse, sont désormais révisés à la stabilité pour le quatrième trimestre, alors que les prix des DRAM pour serveurs augmentent. En parallèle, les prix des DRAM pour PC et smartphones continuent de baisser, ce qui creuse l'écart de prix entre la DRAM classique et les produits de pointe comme la HBM. Cet écart est en grande partie alimenté par l'augmentation de la production de puces plus anciennes, telles que la DDR4 et LPDDR4X, par le fabricant chinois CXMT.

Selon TrendForce, les fabricants chinois devraient détenir une part de marché combinée de 11,8 % dans le secteur DRAM d’ici la fin de l’année, contre 10,1 % au début de l’année. CXMT, désormais quatrième producteur mondial de DRAM, prévoit d’augmenter sa capacité de production mensuelle de 160 000 à 200 000 feuilles d’ici la fin de l’année, avec un objectif de 300 000 feuilles d'ici 2025. Morgan Stanley prévoit que la production de DRAM de CXMT représentera plus de 10 % du total mondial d’ici la fin de l’année.

Dans ce contexte, SK Hynix se prépare à une expansion rapide du marché de la HBM, qu’elle anticipe à 40 Mds USD l'année prochaine, contre 25 Mds USD estimés par Micron Technology. L'entreprise prévoit de doubler ses approvisionnements en HBM d’ici 2025 pour maintenir sa part de marché au-dessus de 50 %, se positionnant ainsi comme le leader mondial de la HBM avec une part de marché de 52,5 %. Concernant la prochaine génération, la HBM4, SK privilégie les puces standard plutôt que personnalisées, en collaboration avec son partenaire TSMC. Pour répondre à un excédent mondial de l'offre, SK prévoit également de moderniser ses anciennes lignes de DRAM en Chine afin de produire des puces de DRAM de quatrième génération (10 nm).

SK Hynix continue également de maintenir son rythme de production de NAND flash tout en augmentant l'exploitation de son usine d’eSSD en Chine à presque 100 %. Par ailleurs, Yangtze Memory Technologies (YMTC) a récemment développé des SSD pour le stockage de données après avoir produit des puces NAND flash de 232 couches.

De son côté, Samsung mise également sur les produits haut de gamme comme la HBM, l’eSSD et la LPDDR5. L'entreprise collabore avec TSMC pour développer des puces HBM4 et prévoit d’investir la majorité de ses 48 trillions de wons (environ 34,8 milliards de USD) d’ici 2025 dans des installations liées à la mémoire pour l'IA et des projets de R&D.

Samsung cherche à rattraper SK Hynix dans la course pour fournir des puces HBM avancées à Nvidia, le leader mondial des puces pour l'IA. Alors que plus de la moitié des revenus de SK Hynix proviennent de la HBM et des DRAM pour serveurs, Samsung génère une part plus importante de ses ventes grâce aux DRAM destinées aux smartphones et aux PC.

Source : The Korea Economic Daily, novembre 2024