Bien qu'invisibles à l'œil humain, les rayons UV sont bien présents dans l'environnement. Une exposition excessive aux rayons UV peut causer des problèmes de santé, notamment le cancer de la peau et le vieillissement prématuré de la peau. L'intensité des rayons UV est généralement indiquée par un indice dans les bulletins météorologiques. Un dispositif portable, tel qu'un tee-shirt ou une montre qui surveille l'exposition personnelle réelle aux UV tout au long de la journée, serait un guide utile et plus précis pour les personnes qui cherchent à éviter les dommages causés par le soleil.

Dans leur étude, qui est apparu sur la couverture du comité de lecture, les chercheurs ont indiqué que leurs capteurs flexibles de lumière UV étaient 25 fois plus réactifs et 330 fois plus sensibles que les capteurs existants, dépassant ainsi le niveau de performance requis pour les applications optoélectroniques - ou l'électronique basée sur la lumière.

Les capteurs de lumière UV, également appelés photodétecteurs, sont utilisés dans un large éventail de systèmes, des smartphones jusqu’à l'imagerie biomédicale. Au cours des dernières décennies, le nitrure de gallium (GaN) s'est imposé comme le matériau idéal pour fabriquer des capteurs de lumière UV, en grande partie grâce à ses propriétés supérieures d'émission, de régulation, de transmission et de détection de la lumière. Cependant, la plupart des capteurs UV à base de GaN sont aujourd'hui construits sur des couches rigides, ce qui limite leur utilisation dans des produits flexibles et portables.

Bien que des chercheurs aient développé des capteurs UV flexibles à base de GaN, ils n'ont pas atteint le niveau de performance requis pour une utilisation de pointe. Deux de leurs principaux défis étaient la faible réactivité et la faible sensibilité.

L'équipe de Nanyang Technological University a surmonté ces contraintes en créant ses capteurs de lumière UV flexibles sur une tranche de semi-conducteur de 8 pouces de diamètre, en utilisant des couches monocristallines libres de GaN et de nitrure de gallium d'aluminium (AlGaN), disposées à l'aide de membranes constituées de deux couches minces de semi-conducteurs différentes (membranes à hétérostructure).

Source: « Kirana Aisyah, 02/08/2021, Open Gov Asia »

(Crédit photo : ntu.edu.sg)