Rohm va renforcer sa production de dispositifs de puissance en nitrure de gallium (GaN) en intégrant dans son site de Hamamatsu la technologie de fabrication de TSMC, son partenaire depuis plusieurs années dans le domaine des procédés 650V et des applications automobiles. L’objectif est de créer une ligne de production intégrée au sein du groupe et de répondre à la forte demande liée aux alimentations pour serveurs IA, aux chargeurs embarqués pour véhicules électriques et aux équipements industriels.

Les dispositifs GaN, appréciés pour leur efficacité énergétique et leur capacité à fonctionner à haute tension et haute fréquence, gagnent du terrain dans de nombreux secteurs. Rohm, qui produit déjà du GaN 150V, envisage d’élargir son offre vers des segments de puissance plus élevés. Le transfert de technologie permettra une montée en production d’ici 2027 dans l’usine de Hamamatsu.

Après ce transfert, la collaboration formelle sur le GaN automobile sera close, mais Rohm et TSMC poursuivront leurs coopérations autour de solutions visant à optimiser la performance et la compacité des systèmes d’alimentation. Les dispositifs EcoGaN, déjà adoptés dans des adaptateurs et des alimentations de serveurs, illustrent l’intérêt croissant pour des composants à faible perte.

Source : Response, le 3 mars 2026