Le nouvel appareil du Fraunhofer-Institut entend révolutionner la caractérisation des défauts des matériaux semi-conducteurs. Ainsi, il peut caractériser les défauts cristallins sur une tranche entière pouvant atteindre 300 mm de diamètre. Il est utilisé en particulier pour examiner les matériaux semi-conducteurs à forte absorption de rayons X tels que GaN, GaAs, InP, CdTe et les couches épitaxiales très fines. Il est également équipé d'une caméra standard et d'une caméra CCD XTOP haute résolution qui peut capturer des images avec une résolution spatiale de 5,4 µm et 2,4 µm par pixel, respectivement, pour une taille d'image unique de 18 mm × 13,5 mm. En outre, le système XRTmicron est équipé d'une disposition spéciale des fentes pour effectuer des mesures topographiques à haute résolution en coupe transversale. Cela permet d'obtenir des informations détaillées sur la profondeur sur toute l'épaisseur de l'échantillon.

Ce nouvel appareil marque également le point de départ d’une plus grande collaboration entre le Fraunhofer IISB et Rigaku, fabricant et distributeur japonais d’instruments scientifiques, analytiques et industriels, spécialisé dans les rayons X, par la création d’un Centre commun d'expertise en topographie à rayons X. Le professeur Martin März, directeur du Fraunhofer IISB, se dit convaincu « qu'à long terme, nous écrirons une histoire à succès qui répond aux besoins de l'industrie des semi-conducteurs. D'une part, nous voulons leur apporter des connaissances scientifiques solides pour la caractérisation des défauts des matériaux ; d'autre part, nous voulons développer des routines de mesure pratiques et des algorithmes de comptage des défauts qui puissent être utilisés en production et pour la recherche et le développement ».

De plus, le Fraunhofer IISB fera office de centre de démonstration du XRTmicron dans le monde entier.

Source : Ralf Higgelke, 04/08/2021, elektroniknet.de